CCP PECVD와 RIE의 경계에 대해
2021.06.21 15:35
안녕하세요. PECVD 방식을 사용하는 반도체 장비 회사에 다니는 엔지니어입니다.
항상 많이 배우고 있습니다 .감사합니다.
이번에 여쭙고 싶은것은 PECVD가 어느 순간 RIE가 되는지 입니다.
말씀드렸다시피 저희 회사는 PECVD를 쓰고있고, 이는 양 전극의 크기가 동일하며 두 전극의 간극(Gap)이 작아서 Wall의 영향을 받지 않기 때문에 DC bias는 영향이 거의 없고 따라서 Ion bombardment는 일어나지 않고 라디컬에 의한 화학 반응이 주를 이루게 된다고 알고 있습니다.
그렇다는 것은 두 전극의 크기가 동일하더라도 Gap을 늘리면 DC bias 효과를 낼 수 있다는 말인 것 같은데,
Gap을 어느정도로 확보해야 PECVD가 아닌 RIE로 부를 수 있는 걸까요?
현재는 10mm이하로 Gap을 사용하고 있습니다.
혹시 안된다면 이유는 무엇이고 전극의 크기가 같은 CCP 구조에서 Ion Bombardment를 일으킬 수 있는 방법이 있는지 궁금합니다.
감사합니다!!!
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20179 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
| 769 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
| 768 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 232 |
| 767 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 123 |
| 766 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
| 765 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 169 |
| 764 | 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] | 318 |
| 763 | ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] | 351 |
| 762 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 197 |
| 761 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 205 |
| 760 | PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [2] | 548 |
| 759 | Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] | 548 |
| 758 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
| 757 | CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] | 405 |
| 756 | 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] | 189 |
| 755 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 250 |
| 754 | PECVD Uniformity [1] | 503 |
| 753 | 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] | 634 |
| 752 | 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] | 248 |
| 751 | standing wave effect, skin effect 원리 [1] | 358 |
| 750 | Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] | 307 |
일전의 설명을 다시 한 번더 살펴보시기를 추천합니다. 전극에 RF bias가 걸리는 쪽에 시편이 놓이면 DC bias 값 만큼의 이온 가속이 일어나며, 이 경우를 Reactive ion etch라 부릅니다. 따라서 power 전극이 아닌 전극에 시편이 놓이면 가속 이온에 의한 공정 영향이 매우 적게 됩니다. 전원 연결 위치와의 관계에 집중해서 문제를 살펴 보시면 좋습니다. 이온에 에너지가 인가되는 현상이 지배하는 곳, 즉 DC bias 형성이 판단의 관건입니다.