Others 플라즈마와 자기장의 관계

2004.06.19 16:55

관리자 조회 수:28054 추천:424

플라즈마와 자기장의 관계다시 말하면 자기장 내에서의 플라즈마의 거동에 관하여 질문하셨습니다. 우선 플라즈마는 하전 상태로 보면 음전하의 전자와 양전하의 이온으로 구성되여 있으며 이들은 전자기장내에서는 전기력과 자기력의 합임 Lorentz force F=q(E+v*B)의힘을 받고 있습니다. 따라서 자기장이 형성되어 있는 공간내에서는 자기력을 받아 하전입자들은 운동을 하게 됩니다. 자세히 보면 자기력의 그성 성분에 자신의 속도 성분과 자기장이 서로 vertor적의 cross product를 합니다. 이는 회전력을 의미하여 마치 소용돌이 같은 운동을 생각하면 됩니다. 이는 전기력에서 전기장의 방향을 따라서 전하가 움직이는 것과는 다른 운동이 됩니다. 이러한 회전 운동은 입자들이 열운동으로 퍼져나가는 것을 제어하게 되어서 자기장 하에서 하전 입자들이 구속되게 되는 것 입니다. 또한 이러한 구속을 효율적으로 하기위해서 자기장의 방향과 세기를 조절할 필료가 있을 것입니다. 이러한 자기장을 플라즈마에 인가하는 방법으로는 전자석을 쓰는 방법과 영구자석을 쓰는 두가지 방법이 있습니다. 영구자석을 쓰는 방법은 방법적으로 쉽고 공간을 적게 차지하나 균일한 자기장을 만들기가 어렵고 자기장의 세기가 한정되어 있습니다. 반면 전자석을 쓰는 경우는 외부 코일을 장착하는 등의 제한이 많
이 있으나 자기장의 방향 혹은 분포를 자유롭게 조절할수 있다는 장점이 있게 됩니다.
Radius (gyroradius)=질량*속도/(전하량*자기장의 세기)이므로 자기장의 세기에 따라 반경은 변하며 전자의 반경가 이온의 반경은 질량비 만큼 전자의 경우가 작습니다. 또한 회전주기(gyrofrequency)=입자 속도/반경=전하량*자기장/질량 으로 표시되어 반경이 작은 전자의 경우 회전주기는 반대로 매우 빠르게 됩니다. 일잔적으로 반응기의 특정 dimension과 비교해서 회전 반경의 트기가 작게되면, 즉 magnetron의 dimension과 비교해서 전자의 회전 반경과 이온의 회전 반경이 모두 작다면 이때 플라즈마는 자화되어 있다고 합니다. 하지만 자기장이 약한 조건에서는 전자는 자화되고 이온은 자화되지 않은 경우도 많이 있으며 이때 이온들의 운동은 자기장에 의해서 크게 영향을 받게되지 않습니다.(이는 자기장을 효과적으로 사용할 수 있는 여부를 결정합니다.) 반면 대부분의 겅우 전자는 자화되는 경우가 많습니다. 한가지 더 말씀드릴 것은 특히 마그네트론에서는 E*B deift가 중요한데 이는 위의 Lorentz식 으로 부터 전자기장이 서로 수직으로 인가된 경우 자기장 속에서 회전 운동을 하는 하전 입자들은 전기장에 의해서 가속ㅈ받기도 하고 반대 위상에서는 감속 받기도 하여 결국 이들 입자들의 전체적인 거동은 E*B방향으로 움직이게 됩니다. 이는 마그네트론 표면을 따라서 플라즈마들이 움직이는 효과를 주고 이 방향으로 플라즈마가 잘 분포되게 되어 효유을 증대시킵니다. 이느 마그네트론 장치의 흉내에서 하전입자들이 하는 행동입니다.  
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [235] 75788
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19471
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56677
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68065
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 90360
738 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 214
737 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 216
736 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 240
735 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 241
734 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 251
733 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] 252
732 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 254
731 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 257
730 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 258
729 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 263
728 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 264
727 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 268
726 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 268
725 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 274
724 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 274
723 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 280
722 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 282
721 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 282
720 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 286
719 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 296

Boards


XE Login