Sheath RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교

2023.01.11 20:48

aky123 조회 수:869

안녕하십니까 식각 관련 업무를 배우고 있는 엔지니어입니다. 알아본 바로는 LF일 때의 Sheath 영역이 HF일때보다 더 두껍다, 크다 라고 알고 있습니다. 이온의 이동성으로 생각해봤을 때, LF일 때가 HF일때 보다 이온이 반응할 수 있는 시간이 길고 이동이 더 가능하다. 즉, 이온의 밀집지역이 전극에서 더 멀어져있다, Sheath 영역이 더 두껍다 라고 이해했는데 이 생각이 맞는지 궁금합니다.

그리고 etch 진행시 LF power를 인가하면 Ion bombardment를 이용할 수 있다고 했는데, Sheath 영역이 더 두껍기 때문에 Ion을 끌어오기 더 용이해서라고 이해하면 되는지 궁금합니다. 답변주시면 감사하겠습니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20179
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68697
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
769 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 158
768 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 161
767 corona model에 대한 질문입니다. [1] 169
766 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 169
765 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 170
764 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 176
763 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
762 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] 189
761 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 197
760 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 204
759 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 205
758 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 206
757 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 211
756 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 214
755 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
754 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 228
753 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 232
752 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 248
751 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 250
750 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 250
쓰기
태그

Boards

XE Login