Etch 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
2018.09.19 13:15
안녕하세요.
궁금한 점이 있어 질문 드립니다.
일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면
그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?
임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,
미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.
예를 들어주셔도 됩니다.
이상입니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76712 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20168 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68690 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92260 |
| 162 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 401 |
| 161 | PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] | 423 |
| 160 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 469 |
| 159 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 471 |
| 158 | remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] | 485 |
| 157 | PECVD Uniformity [1] | 497 |
| 156 | Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] | 505 |
| 155 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 540 |
| 154 |
Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동
[1]  | 544 |
| 153 |
RF Sputtering Target Issue
[2] | 594 |
| 152 | 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] | 604 |
| 151 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 607 |
| 150 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 612 |
| 149 |
Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다.
[1] | 636 |
| 148 | Polymer Temp Etch [1] | 659 |
| 147 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 669 |
| 146 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 694 |
| 145 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 695 |
| 144 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 708 |
| 143 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 723 |
당연합니다. 챔버 임피던스의 정의가 서로 다를 수 있겠지만, 운전 중에 측정된 chamber impedance라면 당연히 chamber 내의 plasma 정보를 포함할 수 밖에 없고, 그 변화가 유발되었다는 것입니다. 물론 chamber의 열화 및 노후화로 인한 변화도 포함될 수 있겠지만, 그 어떤 경우라도 chamber impedance의 변화는 coupling power의 변화로 부터 야기된 공정 변화, 혹은 공정 드리프트의 진단 인자가 될 수 있습니다. 하지만 이를 FDC로 쓰기 위해서는 면밀한 해석이 필요하겠지요. 중요한 공정진단 기술을 확보하셨습니다. 실용 기술로 잘 발전시켜 보시기 바랍니다.