Etch etching에 관한 질문입니다.

2018.08.14 14:59

juhyok 조회 수:1582

안녕하세요. 반도체취업을 준비하고있는 취준생입니다. 실험도중 궁금증이 생겨 질문드립니다.

가스의 유량을 달리하여 etch rate를 비교하기 위한 실험을 했습니다.


ethcant gas인 ch4는 고정시키고

Ar가스를 30sccm 그리고 60sccm 이렇게 두가지 실험을 하였습니다.


질문1. 60sccm이 더 깊게 에칭되는것을 기대하였는데 오히려 덜 에칭되었습니다. 이유가 무엇인가요?

질문2. Ar가스 유량을 늘리는것이 etch속도가 빨라지는것은 맞나요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [131] 5633
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16938
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51356
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64231
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84429
31 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1247
30 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1261
29 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1437
28 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1462
27 터보펌프 에러관련 [1] 1507
26 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1518
» etching에 관한 질문입니다. [1] 1582
24 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1848
23 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1890
22 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2133
21 Plasma etcher particle 원인 [1] 2166
20 PR wafer seasoning [1] 2453
19 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2482
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2912
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3514
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3542
15 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3620
14 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3836
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4083
12 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4951

Boards


XE Login