안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.

항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.

 

다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.

 

저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,

이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.

 

같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데 

이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76650
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20148
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57148
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68669
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92128
767 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 161
766 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 164
765 corona model에 대한 질문입니다. [1] 169
764 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 170
763 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 180
762 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
761 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] 185
760 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 189
759 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 196
758 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 196
757 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 204
756 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 212
755 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 219
754 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 224
753 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
752 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 243
751 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 245
750 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 248
749 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 272
748 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 289

Boards


XE Login