Sheath RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교

2023.01.11 20:48

aky123 조회 수:462

안녕하십니까 식각 관련 업무를 배우고 있는 엔지니어입니다. 알아본 바로는 LF일 때의 Sheath 영역이 HF일때보다 더 두껍다, 크다 라고 알고 있습니다. 이온의 이동성으로 생각해봤을 때, LF일 때가 HF일때 보다 이온이 반응할 수 있는 시간이 길고 이동이 더 가능하다. 즉, 이온의 밀집지역이 전극에서 더 멀어져있다, Sheath 영역이 더 두껍다 라고 이해했는데 이 생각이 맞는지 궁금합니다.

그리고 etch 진행시 LF power를 인가하면 Ion bombardment를 이용할 수 있다고 했는데, Sheath 영역이 더 두껍기 때문에 Ion을 끌어오기 더 용이해서라고 이해하면 되는지 궁금합니다. 답변주시면 감사하겠습니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [181] 74897
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18754
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56232
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66719
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88099
699 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 271
698 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 287
697 plasma modeling 관련 질문 [1] 289
696 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 291
695 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 292
694 self bias [1] 298
693 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 314
692 plasma striation 관련 문의 [1] file 314
691 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 317
690 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 318
689 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 328
688 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 338
687 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 343
686 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 346
685 RF Sputtering Target Issue [2] file 348
684 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 350
683 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 352
682 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 358
681 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 358
680 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 363
쓰기
태그

Boards

XE Login