저는 최근 반도체 증착장비에 대해 공부하다 플라즈마에 대해 궁금증이 생겨서 질문을 남깁니다.
 
스퍼터링법에서 플라즈마 발생 원리는 챔버내에 가스를 주입하고 타겟(도체)에다 DC전원으로 음전압을 가해주어 타겟이 음극이 되게되고
 
음극이 된 타겟에서 전자들이 튀어나와 가스들과 충돌하고 가스들이 전자의 에너지를 받아 이온화가 되어 양이온과 전자로 나눠지게 되는 플라즈마 상태가 형성되는걸로 알고 있습니다.
 
하지만 도체인 타겟말고 부도체인 타겟을 사용하게 될때는 DC말고  RF파워를 사용을 한다고 하는데
 
타겟이 도체인 경우 음전압을 가해주면 전자의 이동이 쉬워 음극이 되게되고 이 음극이 된 타겟에서 전자들이 나와 가스와 충돌하여 플라즈마가 되는데
 
타겟이 부도체인경우 RF파워로 음전압 가해주어도 전자의 이동이 쉽지가 않으니 음극이 되지 않아 전자가 방출이 되지 않아서 플라즈마가
 
생성이 되지 않는다고 생각이 되는데 어떻게 해서 타겟이 부도체인데 플라즈마가 형성이 되는지 궁금해서 질문을 드립니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
403 Collisional mean free path 문의... [1] 775
402 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2295
401 플라즈마 색 관찰 [1] 4191
400 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 14135
399 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1009
398 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1028
397 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24120
396 MATCHER 발열 문제 [3] 1425
395 플라즈마 기초입니다 [1] 1279
394 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1550
393 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1594
392 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1776
391 PR wafer seasoning [1] 2694
390 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6535
389 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 614
388 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] 1870
387 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1770
386 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2853
385 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 982
384 ICP 후 변색 질문 722

Boards


XE Login