안녕하세요

반도체 관련 연구를 진행하고 있는 과정에 궁금한 부분이 있어서 글을 남기게 되었습니다.


아시는 바와 같이 J-R Type ESC는 강한 Chucking Force 대비 Process 진행 후 ESC Surface에 Residual Charge가 남아있게 되어 정전기적 힘에 의해 WF 깨짐이나 Sticking등의 문제가 발생, 추가적인 과정을 통해 잔류전하를 제거해야 합니다. 예를들어 ESC를 Ground or Reverse Voltage or Plasma Dechuck등

그중에 Plasma Dehuck를 사용한 Residual Charge 제거 원리가 궁금합니다.


1. 기본적으로 J-R Type의 ESC 에서 RF를 이용한 Etching 진행시, negative 전자로 발생한 Self DC Bias에 의해 + ion이 WF에 이온 충돌을 사용하는데

Process 과정에서 WF 표면의 Charge 관점만 생각하면 Charge가 0v가 되는게 이론상으로 맞는건가요??? (Electon Flux=Ion Flux의 개념을 기반으로)


2. 공정 Condition에 따라 WF에 잔류 전하가 + 이든 - 이든 미량으로 남아있다고 할때, Plasma Dechuck 과정으로 전하 Neutralize가 일어난다고 하는데 이 과정에서 Low Power Plasma의 전자와 이온이 WF에 입사될때 WF에 남아있는 + 와 - Charge와 Compensation 되는 과정으로 이해하면 될까요???


3. 최종적으로 Process -> Plasma Dechuck 이후에는 WF 상의 Charge가 Zero 인것이 베스트인데, 그렇지 못할경우 이론적으로 WF 상의 잔류 전하는 Positive 일지, Negative 일지 어느정도 예상할수 있을까요?


질문이 모호하긴 한데 WF 표면상의 Charge 와 Plasma Dechuck 과정의 메커니즘이 직관적으로 와닺지가 않습니다.

도움 부탁드립니다, 감사합니다...

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76542
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
403 RF matcher와 particle 관계 [2] 2859
402 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2854
401 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2851
400 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2805
399 임피던스 매칭회로 [1] file 2789
398 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2720
397 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2716
396 PR wafer seasoning [1] 2694
395 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2675
394 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2670
393 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2664
392 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2617
391 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2604
390 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
389 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2566
388 질문있습니다. [1] 2545
387 Si Wafer Broken [2] 2473
386 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2470
385 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2451
384 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2425

Boards


XE Login