안녕하세요. 직장에서 Etcher를 다루고 있습니다.


저희 장비 중 Microwave Plasma를 사용하고, 여기에서 Impedance를 Matching하는 Matcher가 있습니다.


이 Matcher는 아래 도파관이 있고, 그 위에 3개의 Stub가 있는데, 정확하게 Matching을 진행하는 원리가 궁금합니다.


다른 ICP하고는 달리 Matcher가 회로로 되어 있는 것이 아니니 머리속으로 물리적인 현상을 떠오르는데 어려움이 있네요.


원리가 표현된 관련 문헌이나 자료가 있으면 더욱 감사드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20182
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68698
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92276
409 Si Wafer Broken [2] 2511
408 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1425
407 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1318
406 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 941
405 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2306
404 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26122
403 Collisional mean free path 문의... [1] 787
402 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2325
401 플라즈마 색 관찰 [1] 4257
400 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 14141
399 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1016
398 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1038
397 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24122
396 MATCHER 발열 문제 [3] 1429
395 플라즈마 기초입니다 [1] 1282
394 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1561
393 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1607
392 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1843
391 PR wafer seasoning [1] 2701
390 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6540

Boards


XE Login