안녕하십니까? 김길호 입니다.

모노실란 분해 메커니즘을 문의하고자 합니다.

 

질문 1)

SiH4-Ar-H2 시스템에서

저온 플라즈마 시스템에서의 SiH4 분해 메커니즘 및

고온 플라즈마 시스템에서 SiH4 분해 메커니즘의 차이가 있을 수 있는지 궁금합니다..

 

제가 조사한 문헌에 의하면 SiH4 분자들이 플라즈마 영역에서

다양한 이온상태 (SiH3+, SiH+, Si+, SiH2+)로 존재하는 것으로 알고 있습니다.

위와 같은 이온 상태로 해리는 저온 플라즈마에서만 발생하고,

고온플라즈마 시스템 에서는 (SiH4àSi+2H2)로 실리콘 원자와 수소 분자로

해리될 수 있는지 궁금합니다.

 

질문 2) 만약 고온 플라즈마에서 SiH4 분자들이 실리콘 원자와 수소 분자들로 해리된다면

       (SiH4àSi+2H2), 실리콘 원자들이 고온 플라즈마 영역에서 Vapor 상태로 존재한 후

       온도가 낮아지면 액상(liquid) 또는 고상(Solid)으로 상 전이가 일어날 수 있는지

       궁금합니다.

 

질문 3) SiH4 분자들이 플라즈마 영역에서 이온상(SiH3+, SiH+, Si+, SiH2+)으로 존재한다면,

       플라즈마 영역을 지나면 위 이온들은 이온상을 계속 유지하는지 아니면 전자와 결합하여

        분자로 존재하는지 궁금합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
403 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2357
402 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2386
401 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2417
400 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2423
399 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2451
398 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2469
397 Si Wafer Broken [2] 2472
396 질문있습니다. [1] 2544
395 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2565
394 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
393 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2602
392 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2617
391 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2662
390 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2667
389 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2674
388 PR wafer seasoning [1] 2694
387 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2716
386 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2719
385 임피던스 매칭회로 [1] file 2789
384 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2805

Boards


XE Login