Ion/Electron Temperature RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문
2017.06.06 16:47
RF prequency가 증가하면 plasma 상태에서 중성을 유지하려는 힘보다 커져서 중성상태를 깨트릴 수 있다는 의미로 이해하였는데요. 이러면 ion energy가 증가해야하는것이 아닌가요?
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [221] | 75434 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19169 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56480 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67563 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89371 |
| 368 | PR wafer seasoning [1] | 2615 |
| 367 | RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] | 2606 |
| 366 | Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] | 2590 |
| 365 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2586 |
| 364 | Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] | 2582 |
| 363 |
임피던스 매칭회로
[1]  | 2579 |
| 362 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2543 |
| 361 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 2495 |
| 360 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2489 |
| 359 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2454 |
| 358 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2410 |
| 357 |
안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출)
[1] | 2401 |
| 356 | 질문있습니다. [1] | 2398 |
| 355 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2334 |
| 354 | Ta deposition시 DC Source Sputtreing | 2331 |
| 353 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2316 |
| 352 | 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] | 2311 |
| 351 | 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? | 2288 |
| 350 | Load position 관련 질문 드립니다. [1] | 2283 |
| 349 | Si Wafer Broken [2] | 2261 |