Etch Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.

2018.05.10 13:56

박대수 조회 수:1889

안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [131] 5626
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16925
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51354
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64230
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84396
313 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 2126
312 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2097
311 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 2090
310 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2068
309 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2064
308 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 2048
307 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2025
306 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2007
305 Wafer particle 성분 분석 [1] 1984
304 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 1968
303 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 1967
302 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1964
301 플라즈마볼 제작시 [1] file 1936
300 Si Wafer Broken [2] 1913
» Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1889
298 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 1878
297 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 1863
296 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 1850
295 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1845
294 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 1830

Boards


XE Login