Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:3189

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76542
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
403 RF matcher와 particle 관계 [2] 2859
402 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2854
401 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2851
400 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2805
399 임피던스 매칭회로 [1] file 2789
398 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2720
397 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2716
396 PR wafer seasoning [1] 2694
395 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2675
394 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2670
393 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2664
392 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2617
391 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2604
390 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
389 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2566
388 질문있습니다. [1] 2545
387 Si Wafer Broken [2] 2473
386 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2470
385 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2451
384 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2425

Boards


XE Login