안녕하세요?

 

장비업체에서 근무하고 있는 엔지니어 입니다.

 

예전 책에서 공부한 바에 따르면 압력이나 챔버가 일정한 상태에서는

 

RF Power가 증가하면 전자의 에너지는 증가할 수 있지만 이 에너지는 이온화 과정에서 잃어버리기 때문에

 

밀도는 증가하는 것이고 Te는 일정하다고 알고있었는데,

 

실제 플라즈마 진단 테스트를 해보니까

 

RF Power가 증가함에 따라 플라즈마 밀도와 전자온도 다 증가하는 결과를 얻었습니다.

 

소스 타입은 ICP이고 수소 플라즈마 입니다.

 

이 경우, 전자온도가 매우 높아서 이온화를 하고도 에너지가 남을 만큼 큰 에너지를 얻었기 때문인가요?

 

어떤 메커니즘으로 이런 현상이 일어나는지 궁금합니다.

 

답변 주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20183
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68698
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92276
409 Si Wafer Broken [2] 2511
408 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1425
407 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1318
406 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 941
405 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2306
404 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26122
403 Collisional mean free path 문의... [1] 787
402 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2325
401 플라즈마 색 관찰 [1] 4258
400 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 14141
399 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1016
398 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1038
397 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24122
396 MATCHER 발열 문제 [3] 1429
395 플라즈마 기초입니다 [1] 1282
394 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1561
393 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1607
392 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1843
391 PR wafer seasoning [1] 2701
390 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6540

Boards


XE Login