안녕하세요?

 

장비업체에서 근무하고 있는 엔지니어 입니다.

 

예전 책에서 공부한 바에 따르면 압력이나 챔버가 일정한 상태에서는

 

RF Power가 증가하면 전자의 에너지는 증가할 수 있지만 이 에너지는 이온화 과정에서 잃어버리기 때문에

 

밀도는 증가하는 것이고 Te는 일정하다고 알고있었는데,

 

실제 플라즈마 진단 테스트를 해보니까

 

RF Power가 증가함에 따라 플라즈마 밀도와 전자온도 다 증가하는 결과를 얻었습니다.

 

소스 타입은 ICP이고 수소 플라즈마 입니다.

 

이 경우, 전자온도가 매우 높아서 이온화를 하고도 에너지가 남을 만큼 큰 에너지를 얻었기 때문인가요?

 

어떤 메커니즘으로 이런 현상이 일어나는지 궁금합니다.

 

답변 주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [54] 1166
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 887
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49369
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59407
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 73935
254 Lecture를 들을 수 없나요? [1] 8398
253 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 12248
252 MFP에 대해서.. [1] 7409
251 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6434
250 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7490
249 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 9744
248 플라즈마 발생 억제 문의 [1] 7599
247 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 17089
246 Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? 15656
245 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 14716
244 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] 18819
243 cross section 질문 [1] 19053
242 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 27760
» RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [1] 16885
240 ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] 20655
239 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24171
238 [질문] Plasma density 측정 방법 [1] 22235
237 [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] 19519

Boards


XE Login