Sheath 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리
2015.05.09 12:46
저는 최근 반도체 증착장비에 대해 공부하다 플라즈마에 대해 궁금증이 생겨서 질문을 남깁니다.
스퍼터링법에서 플라즈마 발생 원리는 챔버내에 가스를 주입하고 타겟(도체)에다 DC전원으로 음전압을 가해주어 타겟이 음극이 되게되고
음극이 된 타겟에서 전자들이 튀어나와 가스들과 충돌하고 가스들이 전자의 에너지를 받아 이온화가 되어 양이온과 전자로 나눠지게 되는 플라즈마 상태가 형성되는걸로 알고 있습니다.
하지만 도체인 타겟말고 부도체인 타겟을 사용하게 될때는 DC말고 RF파워를 사용을 한다고 하는데
타겟이 도체인 경우 음전압을 가해주면 전자의 이동이 쉬워 음극이 되게되고 이 음극이 된 타겟에서 전자들이 나와 가스와 충돌하여 플라즈마가 되는데
타겟이 부도체인경우 RF파워로 음전압 가해주어도 전자의 이동이 쉽지가 않으니 음극이 되지 않아 전자가 방출이 되지 않아서 플라즈마가
생성이 되지 않는다고 생각이 되는데 어떻게 해서 타겟이 부도체인데 플라즈마가 형성이 되는지 궁금해서 질문을 드립니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76650 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20147 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57148 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68668 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92125 |
| 407 | I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 1306 |
| 406 | 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] | 939 |
| 405 | 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2285 |
| 404 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26084 |
| 403 | Collisional mean free path 문의... [1] | 782 |
| 402 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2317 |
| 401 | 플라즈마 색 관찰 [1] | 4232 |
| 400 | 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] | 14141 |
| 399 |
langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다.
[1]  | 1012 |
| 398 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1035 |
| 397 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24120 |
| 396 | MATCHER 발열 문제 [3] | 1429 |
| 395 | 플라즈마 기초입니다 [1] | 1279 |
| 394 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1558 |
| 393 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1602 |
| 392 | 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] | 1827 |
| 391 | PR wafer seasoning [1] | 2699 |
| 390 | 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] | 6537 |
| 389 | 플라즈마 기본 사양 문의 [1] | 614 |
| 388 | RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] | 1884 |
읽어 보시고 계시는 플라즈마 책에서 self-bias에 대한 내용을 찾아 보십시오. 혹은 Rf bias 로도 설명이 되어 있습니다. 본 게시판에서도 이 내용이 설명 되어 있으니 참고하세요.