ESC Si Wafer Broken
2018.08.01 11:16
안녕하세요. 반도체회사에 다니고 있습니다.
Plasma와 연관성이 없을 수 있는 질문인데요..
Si Wafer가 ESC Chucking Voltage의 Damage(??)에 의해 Edge Broken이 발생할 수 있는지 궁금합니다. (2500v)
ESC를 사용하다가 1년 이상되면 Broken이 발생하고, Broken 주기는 점점 빨라집니다.
ESC의 오랜 사용에 의한 노화 현상은 맞는거 같은데 어떤 영향성으로 발생하는지 궁금해서요...(ESC 교체시 정상되네요)
Plasma On/Off와는 연관성이 없었습니다.
댓글 2
-
김곤호
2018.08.08 14:18
-
서태현
2020.07.20 12:02
안녕하세요. RF power 회사에 다니는 서태현입니다.
ESC의 딤플의 두께는 사용주기에 따라 닳게 됩니다. 이 또한 wafer broken의 원인이며 딤플의 두께가 일정치 않고 높낮이가 다르면 broken 유발 및 공정처리 불량을 유발할 수 있습니다.
그에 의해서 broken 되는 경우가 있고 보통 ESC power를 모니터링 해보시면 더 좋으실 텐데 똑같은 wafer를 삽입시에 -전압(척킹) +전압(디척킹) 이 정상치보다 낮게 나온다. 이 또한 wafer broken의 원인입니다. 전류 자체가 높아져 broken 됩니다.
결과적으로 ESC도 소모성 장비이기 때문에 주기적으로 고장났다고 하셨으면 ESC power supply 점검 후에 주기적 수리나 교체가 필요할 것 같습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76543 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20078 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57116 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91697 |
403 | RF matcher와 particle 관계 [2] | 2859 |
402 | VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] | 2854 |
401 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2851 |
400 | Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] | 2805 |
399 | 임피던스 매칭회로 [1] | 2790 |
398 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2720 |
397 | 플라즈마 압력에 대하여 [1] | 2716 |
396 | PR wafer seasoning [1] | 2694 |
395 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2675 |
394 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2670 |
393 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 2664 |
392 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2617 |
391 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2604 |
390 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2571 |
389 | 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] | 2566 |
388 | 질문있습니다. [1] | 2545 |
» | Si Wafer Broken [2] | 2473 |
386 | 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] | 2470 |
385 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2451 |
384 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2425 |
정적척의 구동 원리를 한 번 연구해 보시면 어떨까요? ESC 노후 문제라 판단이 서셨는데, 저도 동의합니다. 너무 세게 chucking 하고 있으면 wafer가 자주 부서지곤 했었습니다. Chucking 구동 원리를 공부해 보세요.