안녕하세요, 김곤호 교수님.

저는 동일기연이라는 Ionizer 제조회사에 근무하고 있습니다.

Ionizer는 코로나 방전의 원리를 이용하여 양이온과 음이온을 발생시키고 그 이온을 대전물체에 전달시켜 정전기를 중화시키는 제품입니다.

최근 적용 공정 중에 일반 Air가 아닌 순수 N2(99.999%)에서의 Ionizer의 동작과 관련하여 난해한 문제가 생겨 이렇게 질문을 드립니다.

현재 일본 경쟁사 측에서 일반 Ionizer는 Air 환경 하에서는 양이온과 음이온이 평행을 이루며 나오지만,

순수 질소환경에서는 그 이온 발생이 평행을 이루지 못하며, 이상 방전을 한다는 주장을 하고 있습니다.

일본 경쟁사의 논리는 하기와 같습니다.

 

1. 전압 인가 시 음극에서 이상방전 발생[첨부 그림파일 참조 부탁드립니다. 1.JPG 파일]

     - +전압 인가에서는 Air와 N2 일때 전압과 전류의 차이가 크지 않으나, -전압 인가에서는 약 -3kV에서 전류가 급격하게 변함.

2. N2환경에서 일반 이오나이저 사용 시 이온 균형이 이상함.[첨부 그림파일 참조 부탁드립니다. 2.JPG 파일]

    - 일반 Air에서는 +이온과 -이온의 발생이 균형을 이루어 0V의 이온 밸런스를 나타냄.

    - N2 환경에서는 이온 밸런스가 -1400V ~ -1600V로 - 측으로 이온밸런스가 편향되는 것으로 나타남.

3. 주기율표 상에서 질소는 음이온이 되지 않음.

4. 질소 환경에서는 전자 Trap이 없어 전자가 빨리 움직일 수 있음.

 

상기의 경쟁사 주장에 대하여 확인할 자료나 논문을 찾아보았으나, 찾을 수가 없어 이렇게 교수님께 질의를 드리게 되었습니다.

상기 내용에 대하여 조언을 꼭 부탁드리겠습니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68690
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92259
408 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2327
407 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2329
406 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2342
405 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2360
404 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2377
403 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2386
402 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2431
401 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2435
400 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2450
399 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2470
398 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2492
397 Si Wafer Broken [2] 2508
396 질문있습니다. [1] 2569
395 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2579
394 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2581
393 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2628
392 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2638
391 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2685
390 PR wafer seasoning [1] 2701
389 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2727

Boards


XE Login