안녕하세요. 저는 디스플레이 건식식각 장비회사에 다니고 있습니다.

 

저희 회사는 ICP를 사용하고 있습니다. Source Vpp, Bias Vpp라는 parameter가 있는데 제가 알기로는 RF 파형의 전압 값으로 RF power와 비례한다고 알고 있습니다. 그런데 식각 시 Source와 Bias power는 일정하게 유지함에도 불구하고 Vpp가 변동됩니다. Process가 진행되면서 Source Vpp는 증가하는 경향, Bias Vpp는 감소하는 경향을 보입니다. 

 

Bias Vpp는 -Vdc(표면전위)로 점차 떨어져 안정화된다고 하셨는데, Source Vpp는 왜 증가한 후 안정화되는 건가요?

 

박막이 식각됨에 따라 플라즈마의 임피던스가 변해서 Vpp가 변동이 생기는 건가요? 그렇다면 왜 Source Vpp와 Bias Vpp가 상반되는 거동을 보이는 것인지요? 고민해봐도 잘 모르겠어서 부득이하게 질문 드립니다.

 

참고로 저희 장비의 Vdc sensor는 capacitor의 원리를 사용해 측정하기 때문에 전위변동 -> 안정화 후에는 0으로 수렴하는 경향을 가지고 있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
404 RF matcher와 particle 관계 [2] 2855
403 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2851
402 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2849
401 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2805
400 임피던스 매칭회로 [1] file 2789
399 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2717
398 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2716
397 PR wafer seasoning [1] 2694
396 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2674
395 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2666
394 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2662
393 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2617
392 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2601
391 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
390 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2565
389 질문있습니다. [1] 2544
388 Si Wafer Broken [2] 2472
387 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2469
386 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2451
385 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2423

Boards


XE Login