Plasma in general O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다.

2020.05.28 12:04

김병진 조회 수:6299

안녕하세요. 저는 반도체 업종에서 근무하고 있습니다.

궁금한 점이 있어 질문드립니다.

Amorphous carbon 을 O2 분위기하에서 플라즈마 처리 할 경우 제거되는 지 궁금합니다.

또한 TIN 막을 H2 plasma 처리 할 경우 질소가 제거 된 TI가 되는 지 궁금합니다.

챔버 내 대기압 또는 진공상태가 위의 결과에 영향을 크게 미치는 지 궁금합니다.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [221] 75436
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19172
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56481
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67574
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89377
348 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3504
347 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3539
346 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3542
345 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3581
344 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 3686
343 RPSC 관련 질문입니다. [2] 3691
342 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 3766
341 플라즈마 색 관찰 [1] 3834
340 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3859
339 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3900
338 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3972
337 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3982
336 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4132
335 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4472
334 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 4621
333 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 4826
332 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 4865
331 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5099
330 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5218
329 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5237
쓰기
태그

Boards

XE Login