CCP CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계

2021.08.05 17:12

피했습니다 조회 수:2270

안녕하십니까 교수님 항상 성심성의것 답변해 주신것 감사합니다.

 

저는 CCP plasma를 다루는 반도체 장비 회사를 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 여러가지 조건으로 Split test를 하는 와중에 샤워헤드와 척 사이의 갭을 늘렸더니 

 

플라즈마가 켜졌을 때 Matcher의 Vrms가 초반 몇 초 동안 급격히 상승하는 현상이 발생했습니다.

 

운이 없었다면 아킹이 발생하고 웨이퍼가 깨졌을 수도 있었던 상황이라 생각합니다.

 

 

이런 상황에서 pressure를 낮췄을 때는 Gap을 늘려도 상대적으로 안정해지는 경향이 파악 되었습니다.

 

왜 Gap이 커지면 불안정해지고, 여기서 Pressure를 낮추면 Gap이 커져도 상대적으로 안정해 지는 걸까요??

 

감사합니다~!

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20181
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68697
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92276
389 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2727
388 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2742
387 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2765
386 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2779
385 임피던스 매칭회로 [1] file 2804
384 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2818
383 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2871
382 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2873
381 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2891
380 RF matcher와 particle 관계 [2] 2917
379 Plasma etcher particle 원인 [1] 2964
378 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2970
377 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3052
376 CVD 공정에서의 self bias [1] 3097
375 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3162
374 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3165
373 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3179
372 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3192
371 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3203
370 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3273
쓰기
태그

Boards

XE Login