Plasma in general ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요?
2021.09.11 22:39
건식식각 방법에 크게 이온을 이용하는 스퍼터 식각과 라디컬을 이용하는 화학적 식각 그리고 이온, 라디칼 모두를 이용하는 RIE가 있는데 ICP와 CCP로 생성한 플라즈마를 이용해서 물리적,화학적,반응 이온성 식각을 진행하는것으로 이해하면 되는건가요??
차이점은 어떠한 가스를 넣느냐에 따라 물리적 식각만 이루어질수도 있고, 화학적 식각만 이루어질수도 있고, RIE식각만 이루어질 수도 있는건가요??
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질문하신 제목과 같이 ICP/CCP는 공정장비에서 플라즈마의 발생에 필요한, 즉 플라즈마 생성과 유지에 필요한 인가 전기장의 특성을 의미합니다. Inductively coupled plasma 는 안테나 전류로 부터 소스 공간에 만들어지는 유도기전력 (전기장)이 전자를 가속시킴을 의미하고, Capacitively coupled plasma 는 전극에 수직 방향의 전기장에 의해 전자가 가속되어 플라즈마를 발생시키는 방법이 적용되었다는 의미라 할 수 있습니다. RIE는 reactive ion etcher 라는 의미로서 식각 공정이 식각 이온에 의해 보다 활성화 시킨 반응로로서 이온의 가속에너지가 크게 걸리는 경우, 즉 쉬스 전위가 Power 전극에 크기 형성되므로 power 전극에 웨이퍼를 놓고 식각을 진행하는 경우 RIE 모드 운전이라고도 하며, 상대전극, 즉 ground 전극에는 쉬스 전위가 작게 걸리므로 이 경우는 Plasma etch, PE 모드라고 현장에서 사용하는 것 같습니다. 당연히 PE 모드에서 화학적 식각의 비율이 크겠습니다.
초미세 공정 관리는 소스 특성, 즉 소스에서 형성되는 전기장 특성에 의한 이온 가속 방향을 잘 고려해야 합니다. ICP/CCP 플라즈마 생성 기전과 관련된 내용과 RIE 모드 등은 본 게시판에서 여러번 설명이 되어 있습니다. 도움이 되었으면 합니다.