안녕하세요. 반도체에 종사하는 엔지니어입니다.

플라즈마에 대한 기초지식이 없어 설비 Trace 하는데 어려움이 있어 도움 요청합니다.

질문

1.VPP가 어떤건지?

2.VDC가 어떤건지?

3.VPP 정상 Trend에서 High Hunting 발생한 경우 왜 그런지?

4.VPP 정상 Trend에서 Low Hunting 발생한 경우 왜 그런지?

5.VDC 정상 Trend에서 High Hunting 발생한 경우 왜 그런지?

6.VDC 정상 Trend에서 Low Hunting 발생한 경우 왜 그런지?

7.플라즈마는 압력,TEMP에 대해서 어떻게 변하는지?

위 7개 항목에 대해서 알고 싶습니다.

참고. 반도체 Batch 장비 , ALD막 생성에 쓰이는 장비입니다.

정말 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
383 Plasma etcher particle 원인 [1] 2923
382 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2292
381 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 340
380 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4294
379 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1017
378 고진공 만드는방법. [1] 1001
377 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423
376 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 689
375 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1317
374 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 467
373 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 757
372 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5733
371 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2716
370 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3379
369 활성이온 측정 방법 [1] 570
368 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1449
367 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2198
366 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1716
365 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2294
364 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1902

Boards


XE Login