안녕하세요,

ICP (13.56MHz,) 에 Argon을 넣고 방전을 하며 spectrum을 찍고 CR model 시뮬레이션과 함께 line-ratio 방법을 이용해 내부의 전자 밀도를 구하려고 합니다. chamber 내부 압력은 300mTorr에서 800mTorr 사이에서 변화시켰습니다.

작성한 CR model은 pure argon을 가정한 rate balance equation을 토대로 작성됐습니다.

그러나 실제 스펙트럼을 찍어보니 777nm의 산소 스펙트럼이 꽤나 크게 찍히며 일부 peak에서 simulation으로 계산된 intensity와 실제 intensity의 값의 차이가 생기는 것을 볼 수 있었습니다. (실제로 chamber 내부의 air의 비율이 약 14퍼센트 이상 존재합니다.)

이런 스펙트럼이 나오는데 대한 이유는 chamber에서 기체가 새어나가고 있기 때문이라고 생각하여 chamber를 다시 조사하고자 했습니다만

이 문제에 관한 논의 중 Argon의 peak intensity 는 다른 기체가 있어도 별 변화가 없을 것 같다는 의견을 들었습니다.

제 생각에는 argon과 타 기체가 섞였을 때는 quenching에 의한 argon의 de-excitation을 무시할 수 없을 것 같은데, 이렇게 되면 intensity 역시 영향을 받지 않는지요?


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76713
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20169
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68694
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92269
388 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2435
387 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2431
386 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2386
385 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2377
384 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2360
383 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2342
382 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2329
381 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2327
380 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2325
379 Wafer particle 성분 분석 [1] 2319
378 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2318
377 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2313
376 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2313
375 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2313
374 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2312
373 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2311
372 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2310
371 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2303
370 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2281
369 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2269

Boards


XE Login