Etch RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도

2004.07.02 11:15

권호철 조회 수:20411 추천:247

================================<질문>=======================================

저는 생산 LINE에서 DRY ETCHER를 관리하는 설비 ENG'R
  입니다
    NORMAL  BOTTOM(전극):50  TOP(SHOWER HEAD):50  
  WALL:50을 사용 하고 있는데 생산 LINE이다 보니 생산량이 많아
  BYPRODUCT(POLYMER)가 TOP및 WALL 부분에 상당히 많이
  DEPO가 되어 문제가 되고 있읍니다
  경험치로는 온도를 올리면(75도 검토) DEPO 되는 POLYMER
  양을 줄일수 있을것 같은데 온도UP에 따른 플라즈마 밀도가 얼마나
  변할지 몰라 움직이지 못하고 있읍니다  
  POWER가 걸리는 BOTTOM은 현50도를 유지하고 TOP과 BOTTOM
  의 온도를 UP시킬때 플라즈마 밀도에 많은 영향을 미치는지
  알려 주시고,폴리머는 왜 온도가 낮은 부위에 집중적으로 DEPO
  되는지 이론적으로 알고 계시면 답변 부탁 드립니다.
  
================================<답변1>=======================================
polymer는 P.R ,Etching products,Etching gas등에 의하여
발생됩니다.그런데 그러한 polymer가 온도에 따른 영향을 나타내는것은 우리가 수증기의 물방울이 맺하는 원리와 동일하게 생각하면됩니다.
겨울철에 유리창에 물방울이 맺히는 경우를 종종 보게될겁니다.
이와 마찬가지로 벽부나하부전극의 온도가 낮으면 Polymer들이
Pumping되지 못하고 흡착하게 됩니다.그래서 Polymer가 흡착이
덜되게 하기위해서는 온도를 올리는것입니다.그런데 온도를 무한정 올릴수는 없고,Etching 진행시에 발생되는 substrate의 heat-up에 의하여
P.R Buring 현상이 발생 할 수있으니 이러한 문제가 발생하지 않을정도면 될것으로 보입니다.그리고 교수님 말씀처럼 Plasma에 주는 영향은
거의 없을 것으로 보입니다.

================================<답변2>=======================================
참 어려운 질문입니다. 질문자의 성함을 모르니 더욱 힘듧니다.

반응기 벽의 온도와 반응기 내의 플라즈마와의 상관 관계를 물었습니다. 원칙적으로는 반응기 벽의 온도와 플라즈마와는 별개입니다. 하지만
종종 반응기 벽의 온도에 따라서 플라즈마 가 변하는 것과 같은
현상이 발생하곤 합니다. 제가 생각하기로는 이는 반응기 벽의 온도가
플라즈마를 변화시킬 만큼 올라가기가 실제 상황에서 힘들다는 생각입니다.
오히려 질문과 같이 depo등에는 많은 영향을 미칠 수 있으며 반응기 벽에
depo될 물질들이 반응기 공간내에 보다 많이 존재함으로 플라즈마의
특성을 간접적으로 바꾸지 않나 생각됩니다. 만을 반응기 벽의 온도가
매우 높아 열전자 등이 발생한다면 이는 플라즈마 특성에 영향을 주게
될 것 입니다. 그렇지 않다면 반응기 표면의 화학적인 활성에너지를
높이는 역할을 함으로써 반응기 벽에서의 래디컬의 화학 반응이 오히려
더 큰 영향을 받게 될 것입니다. 원론적으로 이는 플라즈마와는 무관하다고 생각해야 합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
383 Plasma etcher particle 원인 [1] 2923
382 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2292
381 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 340
380 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4294
379 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1017
378 고진공 만드는방법. [1] 1001
377 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423
376 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 689
375 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1317
374 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 467
373 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 757
372 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5732
371 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2716
370 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3379
369 활성이온 측정 방법 [1] 570
368 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1449
367 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2198
366 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1716
365 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2294
364 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1902

Boards


XE Login