Monitoring Method Wafer particle 성분 분석 [플라즈마 세정]

2019.03.26 06:46

키보드매니아 조회 수:2465

 

안녕하세요.

반도체업계 종사자인 이우림이라고 합니다

 

다름이 아니라 300mm wafer위에 파티클 오염 분석을 진행중인데요.

혹시 300mm wafer를 coupon이 아닌 full wafer 상태로 삽입하여 wafer위의 파티클 성분 분석이 가능한 장비를 보유한 연구소를 알고 계신지요?

향후 분석에 꼭 필요한데 해당 장비 보유한 연구소를 찾지 못하는 상황입니다.

혹은 장비 관련 정보라도 알려주시면 감사하겠습니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [318] 83501
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22122
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58871
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70528
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96762
425 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2458
424 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [ESC coating와 dummy load] [1] 2459
» Wafer particle 성분 분석 [플라즈마 세정] [1] 2465
422 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [ESC 영역 온도 조절] [1] 2494
421 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2499
420 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux] [1] 2500
419 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2511
418 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [Self bias 및 ICP E/H mode] [2] 2513
417 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2531
416 plasma etching을 관련 문의드립니다. [반도체 공동 연구소] [1] 2536
415 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2555
414 ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity] [1] 2558
413 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2564
412 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [플라즈마 dielectric property] [4] 2566
411 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAT <-> STAGE HEATER 간 GAP과 DEPO 막질의 THK와의 연관성…. [Plasma property와 process control] [1] 2585
410 안녕하세요. 교수님 ICP 관련하여 문의드립니다. [충돌 단면적 및 반응 계수] [2] 2594
409 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2598
408 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [충돌 반응 및 전력 전달 모델] [1] 2603
407 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2607
406 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [Etch와 remote plasma] [1] 2609
쓰기
태그

Boards

XE Login