Plasma Source 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이
2019.03.25 18:08
온도의 차이 말고도 다른 차이가 있나요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76540 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91696 |
363 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2243 |
362 | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 2229 |
361 | 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] | 2226 |
360 | 플라즈마볼 제작시 [1] | 2214 |
359 | Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] | 2203 |
358 | ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2177 |
357 | 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] | 2162 |
356 | N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2117 |
355 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2092 |
354 | 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2089 |
353 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2038 |
352 | chamber impedance [1] | 2003 |
351 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 1961 |
350 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 1950 |
349 | 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] | 1950 |
348 | ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] | 1949 |
347 | 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] | 1947 |
346 | RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] | 1946 |
345 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 1946 |
344 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 1945 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.