안녕하세요~

반도체 회사에 근무하는 엔지니어 입니다.

ICP Type의 장비를 다루는데 RF source가 Top(1.8MHz)/Side(2.0MHz)/Bias(13.56MHz)로 구성되어 있고,

Ar gas로 50mTorr의 압력으로 상승 시킨후에 Top RF부터 인가하게 됩니다. (Top의 Antenna 권선수 n= 4 , Side=2)

궁금한 점은 Top을 plasma ignition시 잘 켜지는데, Side부터 인가하게 되면 reflection이 input값만큼 뜨면서 ignition fault가 발생합니다.

TOP이 권선수가 많아 전자의 속도가 더 빨라서 그런것인가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
363 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1861
362 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 792
361 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1133
360 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1268
359 DC bias (Self bias) [3] 11218
358 ICP와 CCP의 차이 [3] 12435
357 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 782
356 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1829
355 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 9510
354 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2617
353 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1944
352 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1456
351 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 574
350 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2604
349 RF frequency와 RF power 구분 39046
348 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2275
347 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2720
346 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 676
345 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3491
344 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6361

Boards


XE Login