안녕하세요,

ICP (13.56MHz,) 에 Argon을 넣고 방전을 하며 spectrum을 찍고 CR model 시뮬레이션과 함께 line-ratio 방법을 이용해 내부의 전자 밀도를 구하려고 합니다. chamber 내부 압력은 300mTorr에서 800mTorr 사이에서 변화시켰습니다.

작성한 CR model은 pure argon을 가정한 rate balance equation을 토대로 작성됐습니다.

그러나 실제 스펙트럼을 찍어보니 777nm의 산소 스펙트럼이 꽤나 크게 찍히며 일부 peak에서 simulation으로 계산된 intensity와 실제 intensity의 값의 차이가 생기는 것을 볼 수 있었습니다. (실제로 chamber 내부의 air의 비율이 약 14퍼센트 이상 존재합니다.)

이런 스펙트럼이 나오는데 대한 이유는 chamber에서 기체가 새어나가고 있기 때문이라고 생각하여 chamber를 다시 조사하고자 했습니다만

이 문제에 관한 논의 중 Argon의 peak intensity 는 다른 기체가 있어도 별 변화가 없을 것 같다는 의견을 들었습니다.

제 생각에는 argon과 타 기체가 섞였을 때는 quenching에 의한 argon의 de-excitation을 무시할 수 없을 것 같은데, 이렇게 되면 intensity 역시 영향을 받지 않는지요?


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
363 etching에 관한 질문입니다. [1] 2243
362 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2229
361 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2226
360 플라즈마볼 제작시 [1] file 2214
359 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2203
358 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2177
357 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2164
356 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2117
355 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2092
354 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2089
353 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2038
352 chamber impedance [1] 2003
351 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1961
350 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1950
349 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1950
348 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] 1950
347 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1948
346 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 1947
345 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1947
344 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1947

Boards


XE Login