CCP CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점.
2010.01.28 19:44
안녕하세요? 궁금한게 있어서 여쭤봅니다.
Source는 CCP방식입니다. 13.56MHz로 구동되고 matcher 단에서 low pass filter를 통해 나오는 Vdc 값을 모니터링합니다.
그런데 Source 전극에 anodizing처리를 했는데 품질이 좋지 못한 anodizing의 경우에는 Vdc 값이 "-"로 뜨는데 고품질 anodizing의 경우에는 "+"값을 띕니다.
고품질의 경우에는 CCP 소스면에서 완전히 floating되어서 그러는것 같은데
정확한 메카니즘을 이해할 수 없어서 문의드립니다.
왜 "+"값을 나타내는지에 대해 설명해 주실수 있는지요?
플라즈마 방전은 저품질이나 고품질 모두 이상없이 뜹니다.
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20176 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
| 349 | RF frequency와 RF power 구분 | 39063 |
| 348 | RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 | 2281 |
| 347 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2764 |
| 346 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 679 |
| 345 | Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] | 3526 |
| 344 | O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] | 6408 |
| 343 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8594 |
| 342 | 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] | 1900 |
| 341 | 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] | 432 |
| 340 | 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] | 920 |
| 339 | RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] | 5150 |
| 338 | 가입인사드립니다. [1] | 1880 |
| 337 | 문의 드립니다. [1] | 867 |
| 336 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 657 |
| 335 |
dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!!
[1]  | 1402 |
| 334 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1423 |
| 333 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1021 |
| 332 | O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] | 6176 |
| 331 | 강의를 들을 수 없는건가요? [2] | 1445 |
| 330 |
입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate
| 373 |