Matcher ETCH 관련 RF MATCHING 중 REF 현상에 대한 질문입니다.
2013.06.15 10:25
안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 신입ENG'R 입니다.
질문이 있어 찾아오게 되었습니다.
ETCH설비에서 특정 공정을 진행시키면 Step 중간에 TCP 및 BIAS REF 값이 튀는 현상이 발생하였고
RF MATCHING 과정에 문제가 있다 판단되어 원인을 찾던 중 RF Generator와 MATCHER BOX 사이의 Coxial Cable
길이가 다름을 확인 할 수 있었습니다.
그리하여 교체 후 정상이 됨을 확인 할 수 있었지만 회사 선배님들은 STEP 중간에 REF 값이 흔들리는 경우가 드물다고 하며
원인을 모르겠다고합니다. 그 원인을 저에게 찾아오라고하네요 ^^;;; 도움이 필요합니다~!!
1. Coxial cable 길이가 Impedence Matching에 영향을 주는건 알겠는데 왜 Etch step 초반에는 Ref값이 정상이다가
Step 중간부터 흔들리고 튀는 현상이 발생하는가??
2. 만약 Coxial cable 문제라면 타 ETch 공정시에서는 영향을 주지않고 왜 특정 공정에서만 발생하는가?
(즉, Coxial Cable의 길이가 ETCH공정에 어떠한 영향을 주는가??) 입니다.
저도 따로 공부를 하고있지만 더 정확한 지식을 얻고자 도움을 요청합니다~ ^^:;; 정말 감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20180 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
349 | RF frequency와 RF power 구분 | 39063 |
348 | RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 | 2281 |
347 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2765 |
346 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 679 |
345 | Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] | 3526 |
344 | O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] | 6409 |
343 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8594 |
342 | 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] | 1900 |
341 | 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] | 432 |
340 | 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] | 920 |
339 | RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] | 5150 |
338 | 가입인사드립니다. [1] | 1880 |
337 | 문의 드립니다. [1] | 868 |
336 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 657 |
335 | dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] | 1402 |
334 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1423 |
333 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1021 |
332 | O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] | 6176 |
331 | 강의를 들을 수 없는건가요? [2] | 1445 |
330 | 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate | 373 |
1. RF제너레이터의 전력 안정시 응답 특성과 플라즈마의 인가 전력에 따른 응답 특성이 다른데,
서로 증폭되는 방향으로 맞춰질 경우 전력안정화에 문제가 생깁니다.
2. 플라즈마 특성 상 하모닉스 성분이 발생할 경우 Ref로 인식될 수 있습니다.
위의 두 상황에 대한 대응으로 Coaxial Cable의 길이를 변경하여 개선할 수 있습니다.
자세한 내용은 RF 공급업체에 문의 하시면 답변을 얻으실 수 있습니다.