질문 ::

안녕하세요.
저는 삼성반도체에서 pecvd 설비를 다루고 있는 사람입니다.
항상 플즈마라는 놈을 다루면서도 아직까지 의문점이 많이 있습니다.
그런데 최근에 rf와 관련된 불량이 발생하여 그 차이점이 무엇인가 조사를 하다가 플라즈마가 발생하는 전극의 숫자가 차이 난다는 것을 알 수 있었습니다.
저희가 사용하는 rf는 13.56mhz를 사용하는데 main rf가 설비 쪽으로 인가되면 설비의 내부(reactor chamber) 에서 8개의 head shower ( 반응로에서 방전을 하기 위한 전극) 로 나누어 집니다.
이때 각 head shower 별로 인가되는 플라즈마의 힘(?) 은 어떻게 되는지가 궁금합니다.
이 질문을 드리게 된 것은 head shower가 8개인 설비와 6개인 설비간의 유의차가 있어 그 원인이 혹 플라즈마의 분배에 있어 힘의 차이가 있지 않나 해서 말입니다.
위 내용에 대하여 조언을 주시면 대단히 감사하겠습니다.
메일로 알려 주시면 더욱 감사하구요...

답변 ::

구체적인 답변을 드리기에는 실제 장비를 보고나서야 가능할 것 같습니다.
여기서는 개괄적으로 말씀드리겠습니다.
지금 반응기는 두개의 전극을 기본으로 하는 다이오드 타입의 rf 플라즈마
반응기입니다. 한쪽 전극이 6개로 나누어져 있거나 8개로 나누어져
있습니다.
일단 전극사이에서 형성되는 플라즈마는 플라즈마 전류의 형태로 전극을 통하여 흐르게 되고 두 전극에 인가되는 전압과 함께
외부에서 인가되는 전력을 사용하게 됩니다. P= I*V입니다.
일반적으로 전극에 인가된 전위가 같고 운전 압력/개스가 같으면
전극의 크기에 관계없이 유사한 플라즈마가 형성되게 됩니다.
하지만 발생 면적이 넓어지면서 전극으로 흐르는 전류의 크기가 커지게
될때 인가되는 전력이 이 부하를 감당하기 힘들어질 수도 있습니다.
이런조건이 되면 자연히 전극사이에서 형성되는 플라즈마의 특성은
변할 수 밖에 없겠지요. 이경우가 아니라면 비교적 유사한 플라즈마가
형성된다고 볼 수 있습니다. 만일 6쪽 전극을 사용하였을 경우와
8쪽 전극을 사용하였을 경우 전극에 걸리는 전압을 측정하여 전압이
바뀌었다면 위와 같은 일이 일어났다고 생각할 수 있습니다. 혹은
흐르는 전류의 크기를 측정했을때 6쪽에 비해서 8쪽의 경우가
선형적으로 증가하지 않았다해도 유사한 이유에서 비롯된 형상일 수
있습니다. 단, 전극의 면적이 좁아지면서 쉬스의 크기는 길어지고
쉬스의 길이가 길어지게 되면 전하가 에너지를 받는 길이가 길어지게
됩니다. 이 같은 경우에 두 전극간의 거리가 너무 좁다면 이 쉬스에
영향을 미칠 수 있으며 이렇게 되면 플라즈마 발생에 영향을 끼칠 수가
있습니다. 따라서 간격도 고려해야할 중요한 인자가 됩니다.
도움이 되었으면 합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
344 RPSC 관련 질문입니다. [2] 3968
343 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3977
342 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4121
341 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4126
340 플라즈마 색 관찰 [1] 4191
339 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4239
338 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4293
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 4360
336 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4712
335 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4738
334 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5019
333 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5115
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5179
331 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5417
330 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5462
329 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5648
328 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5732
327 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5783
326 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5864
325 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5910

Boards


XE Login