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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65680
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264 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1493
263 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1485
262 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 1485
261 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1485
260 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1484
259 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1471
258 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 1464
257 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 1463
256 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1455
255 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1439
254 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1434
253 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1428
252 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1411
251 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1382
250 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1380
249 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1378
248 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1350
247 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 1349
246 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1340
245 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1329

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