Plasma in general PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다.
2020.08.27 18:00
안녕하세요, 교수님.
CCP Plasma 를 이용해 SiH4 와 N2O gas 를 flow 시키면서 SiO2 막질을 형성하는 공정 진행중, Chamber wall 부분에서 특이점이 발생하여 문의드립니다.
Chamber 내부에 형성된 plasma 보다 밝기는 더 밝은 모양의 Parastic plasma 가 chamber wall 부분을 따라 계속해서 왔다 갔다 움직이는 현상입니다.
RF power 가 지나가는 path 의 component 연결상태를 다시 확인 후 다시 plasma 를 켰을때, parastic plasma 의 위치만 변했을 뿐, 현상은 동일합니다.
이와 같은 현상이 발생하는 원인이 무엇일까요? Chamber 내부 conditioning 이 덜 되어서 일지, 아님 실제로 RF power loss 가 Capacitively Coupled 된 두 기판 사이의 어디선가 발생하여 기인된 것일까요?
답변 부탁드립니다.
감사합니다.
장비 개조 없이 확인해 볼 사항은 세정 전후의 상태 비교가 있겠고, 특히 반응기 내의 가스 흐름과 벽면 상태에 대한 자료 조사가 필요해 보입니다. 가능하면 타킷 시편 향으로 반응물 및 플라즈마 분포가 집속될 수 있도록 구조 조절 및 노즐 조절 자료가 필요해 보입니다. 조절 방법을 찾는데 도움이 되었으면 합니다.