Remote Plasma surface wave plasma 에 대해서

2010.04.10 19:26

이태효 조회 수:18525 추천:127

안녕하세요.. 저는 이태효라고 합니다.

플라즈마에 대해서 이것저것 공부하던 중에 high density plasma 방법중에 마이크로 웨이브를 이용한 방법이 있는 것을 보았습니다.

보통 CCP나 ICP 또는 Helicon plasma 그리고 ECR에 대해서는 어느정도 방법이 나와있지만 마이크로파를 이용한 surface wave plasma에 대해서는 자료가 거의 없더군요....

해서 게시판에 매번 눈팅만 하다가 질문을 올리게 됐습니다.

1. 첫째로 마이크로파를 이용한 플라즈마 방식이 있는데 이것에 대한 플라즈마를 발생시키는 원리에 대해서 알고 싶습니다.
- 플라즈마 일렉트로닉스란 책도 참고로 보았지만 잘 이해가 안가네요...;;;;

2. 두번째로 마이크로파를 이용한 플라즈마 방식은 전자온도가 낮다고 들었는데요... 이유가 어떤건지도 궁금합니다.
- ECR 도 마이크로 웨이브를 이용하는데 이건 일반적인 ICP보다 전자온도가 높은것으로 알고 있는데요.. SWP에 대한 원리를 몰라서 그런지 왜 전자온도가 낮은지 아무리 생각해도 잘 모르겠네요.

매번 게시판을 잘 이용하고 있고 많은 도움을 받고 있습니다.
그럼 하시는 연구 잘되기를 바라구요... 답변 부탁드립니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
323 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1770
322 터보펌프 에러관련 [1] 1737
321 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1731
320 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1716
319 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1696
318 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1688
317 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1683
316 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1677
315 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1667
314 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1662
313 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1655
312 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1637
311 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1630
310 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1617
309 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1594
308 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1586
307 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1576
306 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1564
305 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1550
304 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1518

Boards


XE Login