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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[337]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문
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375 |
PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착]
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374 |
CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information]
[1] | 2437 |
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373 |
플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [Breakdown voltage 및 이온화 에너지]
[1] | 2433 |
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372 |
3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [Wave guide 및 matcher position 변화]
[1] | 2401 |
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371 |
glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [고전압 방전 및 DBD]
[2] | 2393 |
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370 |
wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias]
[1] | 2378 |
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369 |
RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law]
[1] | 2373 |
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368 |
RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization]
[1] | 2326 |
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367 |
N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [N2 Ionizer 이온 및 중성 입자 해석]
[1] | 2325 |
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366 |
ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [Excitation transfer 반응과 방사천이율]
[1] | 2311 |
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365 |
EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [Plasma spectroscopy]
[1] | 2302 |
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364 |
OES 분석 관련해서 질문드립니다. [Intensity 넓이 계산]
[1] | 2279 |
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363 |
ICP와 CCP에서의 Breakdown voltage [Breakdown과 E-H transition]
[1] | 2263 |
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362 |
Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어]
[1] | 2243 |
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361 |
CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [Wafer bias와 chuck cap]
[1] | 2239 |
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360 |
Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [전자 소실 및 플라즈마 전위]
[3] | 2234 |
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359 |
13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [Resonator의 matching]
[1] | 2227 |
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358 |
텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응]
[1] | 2215 |
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357 |
Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence]
[1] | 2204 |
