Matcher Impedence 위상관련 문의..
2017.06.30 04:39
안녕하세요. 전에도 몇번 질문드렸었습니다만,, 반도체 관련회사에서 근무하고 있습니다.
RF (ICP)장비를 다루고 있는데 impedence 위상관련해서 문의 좀 드리려고 합니다.
impedence 매칭은 저항과 위상으로 조정하데..
공정 parameter (Ar pressure , AC power 등)의 변화로 위상이 변화할수 있을까요?
변화된다면 어떤 이유로 변화되는지 조금 자세하게 설명을 듣고 싶습니다..
그리고 정말 죄송한데 smith chart program 을 사용하고 싶은데..도움 받을 site가 있을까요?
검색해서 찾아봐도 알수 없는 site로 이동이 되서...찾기가 어렵습니다만..
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
323 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1770 |
322 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1737 |
321 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 1734 |
320 | ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] | 1716 |
319 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1696 |
318 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1688 |
317 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1683 |
316 | 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] | 1677 |
315 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1667 |
314 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1662 |
313 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1655 |
312 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1637 |
311 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1630 |
310 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1617 |
309 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1594 |
308 | 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] | 1587 |
307 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1576 |
306 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1564 |
305 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1550 |
304 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1518 |
우리가 하나의 회로로 플라즈마를 놓는다면 capacitance (쉬스), diode (이온 전류), 및 저항 ( 총돌에 의한 에너지 전달: Ohmic heating 과 Stochastic heating) 값, 그리고 inductance (충돌로 인한 플라즈마 전류 위상차이)로 표현이 가능할 것입니다. 이를 종합해서 플라즈마 임피던스라 하고, 특히 RF 에 영향을 미치는 cap/inductance 항이 플라즈마 밀도와 온도 그리고, 충돌 함수이므로, 운전 전력과 압력에 따라서 matching position 이 바뀔 수 밖에 없겠습니다. 때로 연구자들은 회로 모델이라 부르는 해석 방법을 연구하기 합니다.