안녕하세요 반도체장비 기업에서 Etch 관련 업무에 종사하는 직장인입니다.

다름이 아니라 입사한지 얼마 안된 신입사원이라 이것 저것 공부를 하고 있는데 궁금증이 몇가지 있습니다.

 

CCP Type 의 경우는 Plasma의 Density는 높지 않지만 강한 힘으로 이온을 당길 수 있어 반도체의 Metal Contact이나 Trench공정에 사용되지 않습니까? 그리고 Plasma의 Sheath 영역이 Reactor의 내벽과 내부 Part들을 경계로 생긴다고 알고 있고, 전극은 Wafer의 하부에서 Bias Power를 가해 이온을 당기는 것으로 알고 있습니다.

 1. Wafer의 Edge에서 Wafer 주변 Ring 같은 구조물이 없다면 Plasma의 Sheath가 Wafer의 Edge에서 Wafer를 둘러싸게 되고 Wafer의 Edge로 이온의 입사가 집중되어 Wafer Edge의 Etch Rate나 Temp가 변하고 Uniformity가 안좋아지는 것으로 알고 있는데 맞나요??

 2. 만약 1번이 맞다면 아래로 당기는 Bias Power의 방향은 아래로만 향하는데 어째서 Sheath영역이 Wafer를 둘러싸기에 Etch에 불균일이 생기는 건가요?

3. 플라즈마의 균일도 향상을 위해서 Focus Ring이라는 부품이 Plasma의 Sheath가 Wafer면 위에 고루 퍼지게, Edge부분과 Center부분의 균일도를 개선하는 역할을 한다고 알고 있습니다. 이는 그렇다면 Sheath 영역이 변하면서 균일도가 좋아지는 것인가요?

4. 플라즈마에서 Radical과 양이온이 Etch에서 주요한 역할을 한다고 알고 있고 CCP에서는 양이온의 Etch가 큰 영역을 차지한다고 알고 있습니다. 헌데 Radical의 경우엔 어떻게 식각을 하나요? Radical은 전기적으로 중성아닌가요? 중성인데 Bias Power로 인한 E Field에 영향을 받고 움직일 수 있는것인가요???

다소 두서없고 앞뒤가 없는 질문입니다만 막 Plasma 공부를 시작한 초심자이니 넓은 아량으로 답변해주시면 정말 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [317] 82561
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21950
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58735
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70359
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96244
364 Remote Plasma가 가능한 이온 [Remote plasma와 diffusion] [1] 2189
363 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [Wafer bias와 chuck cap] [1] 1975
362 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [DBD와 "industrial plasma engineering"] [1] 908
361 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1207
360 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요 [RF power와 power factor] [1] 1468
359 DC bias (Self bias) ["Glow discharge processes"] [3] 11548
358 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 12789
357 새집 증후군 없애는 플러스미- 플라즈마에 대해서 [광운대 플라즈마바이오연구센터] [1] 867
356 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2047
355 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [Self bias와 matcher] [1] 9626
354 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention] [3] 2931
353 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [Ion energy와 heat, sheath energy] [2] 2160
352 Impedence 위상관련 문의 [Circuit model, matching] [1] 1584
351 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [열플라즈마와 "플라즈마 금속학"] [1] 665
» RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 2843
349 RF frequency와 RF power 구분 39221
348 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2337
347 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [전극 표면 전위] [1] 3027
346 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [Self bias] [1] 788
345 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 3816

Boards


XE Login