ESC 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다.
2011.04.05 11:28
안녕하세요. 반도체 장비회사에 재직중인 직장인 입니다.
O2 plasma 관련 글을 검색하다가, O2 plasma 에는 음이온이 다수 존재하여 Matching 조건이 다른 Plasma 와 조금
다를 수 있다는 내용을 보았는데요..
현재 O2 Plasma 를 사용하는 Ashing 공정에서 ESC 를 인가하는 조건과 인가하지 않는 조건 간에 Matching trend 가 매우
다른 현상이 발견되고 있습니다. ESC 에 인가되는 + DC Power 와 음이온 발생 분위기와 어떠한 상관 관계가 있는지 궁금
합니다. 실제로 ESC 에 인가되는 +DC 전압이 Chamber 내부의 음이온 발생 정도와 관계가 있을 수 있는지요?
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [179] | 74881 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18735 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56223 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66684 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 87991 |
256 | 안녕하세요 교수님. [1] | 8791 |
255 | Lecture를 들을 수 없나요? [1] | 8523 |
254 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 12828 |
253 | MFP에 대해서.. [1] | 7729 |
252 | 안녕하세요, 질문드립니다. [2] | 6527 |
251 | 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] | 7622 |
250 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10072 |
249 | 플라즈마 발생 억제 문의 [1] | 8010 |
248 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 23971 |
247 | Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? | 15800 |
246 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15686 |
245 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 20634 |
244 | cross section 질문 [1] | 19473 |
243 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 28600 |
242 | RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [1] | 17353 |
241 | ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] | 21016 |
240 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24572 |
239 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22536 |
238 | [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] | 19737 |