Etch poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
2016.10.21 09:19
아래 그림과 같이 SiN위에 poly 식각을 하려 합니다.
poly 주변에는 산화막이 형성되어있는 상태입니다.
바닥 poly의 damage는 줄이면서 상단 poly만 제거하고 싶은데
효과적인 방법이 있을까요? 조언 부탁드립니다.
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76677 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20149 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57150 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68670 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92179 |
| 327 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1787 |
| 326 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 1778 |
| 325 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1752 |
| 324 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1744 |
| 323 | ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] | 1730 |
| 322 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1718 |
| 321 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1700 |
| 320 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1685 |
| 319 | 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] | 1682 |
| 318 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1670 |
| 317 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1666 |
| 316 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1658 |
| 315 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1657 |
| 314 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1639 |
| 313 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1604 |
| 312 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1602 |
| 311 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1]  | 1596 |
| 310 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1594 |
| 309 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1558 |
| 308 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1533 |