CCP 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련
2020.01.02 18:46
안녕하십니까?
이전에 에쳐장비 관련 장비메이져 회사에서 근무한 경험이 있습니다.
그당시, 에쳐장비에서 HF/LF가 RF가 인가가 되는데,
그라운드 링이라는 하드웨어가 상부전극 주위 즉 Deposhield윗 공간에 존재를 하였습니다.
에쳐장비에서 RF관련 그라운드를 어떻게 잡는지가 궁금합니다.
(그라운드를 잡지않으면, 아킹이나 노이즈 등의 위험이 있다고 생각합니다.)
확인 및 답변 부탁드립니다.
새해 복 많이 받으시고, 행복한 한해 되십시오.
감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76715 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20170 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68696 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92273 |
328 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1793 |
327 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 1792 |
326 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1756 |
325 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1749 |
324 | ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] | 1734 |
323 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1729 |
322 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1703 |
321 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1688 |
320 | 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] | 1683 |
319 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1675 |
318 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1668 |
317 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1660 |
316 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1660 |
315 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1642 |
314 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1607 |
313 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1605 |
312 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1597 |
311 | 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] | 1597 |
310 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1561 |
309 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1533 |
상기관련, 에쳐장비에서 HF/LF의 기본적으로 접지를 잡는방법이 궁금합니다.
또한 그라운드관련 그라운드 기능을 하는 하드웨어파트가 없어도, 큰 무리는 없는지 궁금합니다.
확인 부탁드립니다.
감사합니다.