Sputtering Splash 발생 및 감소 방안은 없는지요?

2004.06.21 15:44

관리자 조회 수:18038 추천:221

질문 ::

제가 알고 있는 범위로는 해결 방법이 없어서 문의 드립니다.
Sputter 공정에서 발생되는 Splash의 감소 및 발생 억제 방안에
대해 알고 계시면 답변 부탁 드립니다.
공정에 사용되는 금속에 따라 전류와 전압 및 H/W Parameter를
(Target과 Magnet 거리) 변경하면서 그 현상을 확인 하고는 있는데
Control이 잘 안되네요.
Splash는 두종류로 나뉘는데...
첫번째는 Wing Type( Chamber 오염)
두번째는 Dome Type(Target 문제...)
현재 골치를 앓고 있는 문제는 '두번째' 인데, 어떻게 풀어야 할지
모르겠네요.
특히 Al 금속에서 그 현상이 심한데, 어떤 방법이 없을까요?
(장비사양은 DC Power/Magnet를 이용한 Film Deposition 방법)

답변 ::

Power를 낮추면 효과가 있죠...
당근한 말이쥐만...
특히 메탈은 어디나 발생되고 문제가 되죠...
윙타입 보다 돔 타입이라면 원인은 간단하네요...
B/P와 TG 사이에서 발생되든가..아님 TG 불순물과 Pore에 기인하든지
여튼 둘다 TG Maker를 조져야 됩니다.
그렇다고 완전히 없어지진 않죠....기본적으로 Al 공정에서 발생되는것은 어찌할 수 없습니다. 모든 Arc 기인의 Spalsh는 Charging을 줄이는
수 밖에...그건  Power를 낮추는게 가장 효과적이죠...
글구  process gas도 영향을 주니까 잘 Control 해보시고요...
TM은 크게 효과 있나요? 별 효과 없던데...
혹 좋은 방법 있으면 저도 좀 갈케죠요...도움 안되는 소리만 해서
미안합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20183
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92278
329 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1793
328 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1793
327 터보펌프 에러관련 [1] 1756
326 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1751
325 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1736
324 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1730
323 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1703
322 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1688
321 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1686
320 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1676
319 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1670
318 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1661
317 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1660
316 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1644
315 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1607
314 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1605
313 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1600
312 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1598
311 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1561
310 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1533

Boards


XE Login