안녕하세요 교수님, ICP Dry etching을 활용한 High-k , Oxide semiconductor patterning 연구를 진행중인 석사과정 학생입니다.


제가 사용하는 Dry etch chemistry는 CF4/Ar gas인데요, 이 때 반응성 이온으로 형성될수 있는 F+,CFx+ ion 그리고 non-reactive gas인 Ar의 역할들에 대해 질문을 여쭙고 싶습니다.


흔히 Ar ion의 경우 energetic bombardment라 하여 target 표면의 1.physical sputtering 및 2. bonding을 깨 radical과의 화학반응을 유도하며 3. 낮은 ionization energy로 인해 RIE 공정 시  plasma 안정화의 역할을 하는 것으로 알고 있습니다.


반면 Reactive ion 의 경우의 역할에 대해 혼란이 있는데요, 예를들어 CF4 gas의 경우 plasma에서 CFx+ 및 F+ ion이 형성되고

수많은 논문들에서는 이들 reactive ion 의 역할을 1.radical과 같은 표면반응으로 byproduct 형성 / 2. icp의 bias power의 영향을 받아 Ar ion 과 같은 bombardment 역할을 한다고 이야기하고 있습니다.


이부분에서 장비 및 공정의 조건 그리고 target물질에 따라, reactive ion(CF3+ CF2+,CF+,F+ etc..)들의 역할이 바뀔 수 있는 것인지요, 아님 복합적으로 화학반응 및 sputtering 역할이 동시에 일어나되, 공정조건에 따라 dominent한 역할이 달라지는 것인지... 궁금합니다.


정리하면 rie에서 reactive ion의 역할이 ion bombardment & sputtering, chemical reaction 둘다 맞는 말인지 여쭙고 싶습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
303 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [1] 7629
302 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7695
301 MFP에 대해서.. [1] 7817
300 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 8022
299 RF Power reflect 관련 문의 드립니다. [4] 8035
298 고온 플라즈마 관련 8090
297 플라즈마 발생 억제 문의 [1] 8114
296 상압 플라즈마에 관하여 문의 드립니다. [1] 8121
295 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 8559
294 핵융합에 대하여 8561
293 Microwave 장비 관련 질문 [1] 8561
292 Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다. 8564
291 Lecture를 들을 수 없나요? [1] 8575
290 N2 환경에서의 코로나 방전을 통한 이온생성에 대한 질문입니다. [1] file 8600
289 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8660
288 수중플라즈마에 대해 [1] 8720
287 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8902
286 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 8952
285 안녕하세요 교수님. [1] 8992
284 진공챔버내에서 플라즈마 발생 문의 [1] 9195

Boards


XE Login