안녕하세요, 반도체 회사에 근무하는 직장인입니다. 

 

여쭐 것이 있어 글을 남겨 봅니다.

 

산업현장에서 쓰는 플라즈마 챔버간의 특성 차이 문제는 극복해야할 문제인데요, 

제가 지금 경험하고 있는것은, N2 gas 전처리의 특성이 달라서 챔버간 소자 결과 차이가 난다는 것입니다. 

여기서 질문이 있습니다.

 

1. CVD의 RPSC step(셀프 클리닝)에서 시즈닝 공정 조건 즉 시즈닝 레시피가 Sio2 증착 recipe (Sih4+N20) 인지? 혹은 SiNx(Sih4+nh3)인지에 따라 후속에서 진행될 N2 플라즈마의 전자 온도, 전자 밀고, 이에 따른 N2 해리율 변동을 야기 할 수 있을지요?? 

 

2. 야기 한다면 시즈닝을 SiO2로 하다가 Sinx 로 할 경우, 전자 밀도 온도 N2 해리율이 증가하는 방향일지? 감소하는 방향일지요?

이것이 시즈닝 박막의 유전율과 연관이 있을지?? 궁금합니다.

 

답변주시면 큰 도움이 될 것 같습니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [131] 5631
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16931
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51356
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64230
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84417
213 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1101
212 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1074
211 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 1061
» CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1056
209 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1052
208 자기 거울에 관하여 1030
207 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1022
206 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1020
205 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1019
204 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1017
203 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1007
202 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 997
201 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 996
200 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 995
199 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 986
198 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 984
197 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 975
196 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 971
195 Group Delay 문의드립니다. [1] 960
194 플라즈마 코팅 [1] 958

Boards


XE Login