Etch N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요

2010.01.20 17:55

송기철 조회 수:23758 추천:200

안녕하세요.

N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.

10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.

그 이유를 자세히 알고 싶은데요.

빠른 답변좀 부탁 드릴께요.

예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로

생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76713
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20169
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68694
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92269
308 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1514
307 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1512
306 plasma 형성 관계 [1] 1511
305 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1506
304 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1494
303 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1482
302 charge effect에 대해 [2] 1465
301 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1463
300 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1463
299 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1458
298 알고싶습니다 [1] 1455
297 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1455
296 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1454
295 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1450
294 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1444
293 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1441
292 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1441
291 Ar plasma power/time [1] 1436
290 ICP lower power 와 RF bias [1] 1433
289 MATCHER 발열 문제 [3] 1429
쓰기
태그

Boards

XE Login