Sheath 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다.

2019.04.11 13:18

PJH 조회 수:1156

안녕하세요. 플라즈마 물리를 공부하고 있는 학생입니다.

쉬쓰천이지역쪽을 살펴보는데 이해가 안가는 부분이 있어서 질문올립니다.

 쉬쓰천이지역에서 이온의 속도를 구할 때 왜 전자의 온도를 적용하는지 모르겠습니다.

제가 사용하는 교재에는 맥스웰볼츠만식에서의 속도는 이온의 온도에 의존하는 반면에 이 쉬쓰에 들어오는 이온의 속도는 이온의 온도가 아닌 전자의 온도에 의존하므로 속도가 빨라진다. 라고만 쓰여있는 그 이유에 대해서 언급이 안되어 있습니다.

왜 그런지 알 수 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76711
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20163
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57163
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68686
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92250
308 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1512
307 plasma 형성 관계 [1] 1511
306 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1510
305 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1506
304 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1494
303 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1481
302 charge effect에 대해 [2] 1465
301 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1463
300 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1463
299 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1458
298 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1455
297 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1454
296 알고싶습니다 [1] 1454
295 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1446
294 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1443
293 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1441
292 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1440
291 Ar plasma power/time [1] 1436
290 ICP lower power 와 RF bias [1] 1433
289 MATCHER 발열 문제 [3] 1429
쓰기
태그

Boards

XE Login