Etch 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
2018.09.19 13:15
안녕하세요.
궁금한 점이 있어 질문 드립니다.
일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면
그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?
임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,
미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.
예를 들어주셔도 됩니다.
이상입니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76712 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20168 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68690 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92262 |
| 288 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1422 |
| 287 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1422 |
| 286 | ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 | 1411 |
| 285 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
 | 1407 |
| 284 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1404 |
| 283 |
dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!!
[1] | 1402 |
| 282 | 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] | 1393 |
| 281 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1387 |
| 280 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1385 |
| 279 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1375 |
| 278 | [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] | 1371 |
| 277 | Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] | 1368 |
| 276 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1363 |
| 275 | Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] | 1350 |
| 274 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1348 |
| 273 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1347 |
| 272 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1343 |
| 271 | DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] | 1330 |
| 270 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1330 |
| 269 |
CCP 챔버 접지 질문드립니다.
[1] | 1324 |
당연합니다. 챔버 임피던스의 정의가 서로 다를 수 있겠지만, 운전 중에 측정된 chamber impedance라면 당연히 chamber 내의 plasma 정보를 포함할 수 밖에 없고, 그 변화가 유발되었다는 것입니다. 물론 chamber의 열화 및 노후화로 인한 변화도 포함될 수 있겠지만, 그 어떤 경우라도 chamber impedance의 변화는 coupling power의 변화로 부터 야기된 공정 변화, 혹은 공정 드리프트의 진단 인자가 될 수 있습니다. 하지만 이를 FDC로 쓰기 위해서는 면밀한 해석이 필요하겠지요. 중요한 공정진단 기술을 확보하셨습니다. 실용 기술로 잘 발전시켜 보시기 바랍니다.