안녕하세요. 반도체 관련 엔지니어입니다.

 

N2, Ar Plasma 를 사용하여 미세 Pattern Pad 표면 세정을 하려고 합니다.

 

세정물 오염원은 C, Si 등을 포함한 성분인데요.

 

N2 와 Ar 중 어떤게 더 효과적일지 궁금합니다. ( 사용 원소에 따른 플라즈마 처리 세기의 차이가 있을거 같은데.. )

 

자료를 찾다보니 아래와 같이 기술된 것도 있던데 맞나요??

- 사용 기체로 산소 및 질소를 사용하였을 경우 아르곤을 사용한 플라즈마 처리 시 보다 에칭 효과 우수

- 산소 사용 시 질소 사용보다 표면 에칭 효과 우수

※ 표면 에칭: 아르곤 < 질소 < 산소

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [317] 83125
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22048
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58814
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70468
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96533
324 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [군산대학교 주정훈 교수님] [1] 2124
323 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [유전체 격벽 방전] [1] 7777
322 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [국부 전기장 형성 및 reflect power] [2] 1385
321 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1513
320 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 5767
319 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [Reaction rate 및 reaction rate coefficient] [1] file 6349
318 RF Power reflect 관련 문의 드립니다. [연속공정] [4] 9104
317 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6269
316 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [최적 정합 조건 및 정합 시간] [2] 2698
315 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue] [1] 4361
314 Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과] [1] 1567
313 RPSC 관련 질문입니다. [플라즈마 발생과 쉬스 형성, 벽면 및 시료 demage] [2] 4310
312 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [공정 용법] [1] 18055
311 플라즈마 내에서의 현상 [Neo-classical transport theory] [1] 1490
310 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [High Power RFG] [2] 7641
309 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [Breakdown voltage 및 이온화 에너지] [1] 2103
» N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정] [1] 11982
307 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [플라즈마 유전상수] [1] 4519
306 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [글로우 방전 및 아크 방전] [1] 936
305 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [Wave guide 및 matcher position 변화] [1] 2044

Boards


XE Login