Others Plasma source type

2004.06.25 16:49

관리자 조회 수:79618 추천:321

질문 ::

CCP?
ICP?
TCP?
위 3가지 type에 자세한 설명을 부탁드립니다
감사합니다

답변 ::

자세한 설명은 이미 설명드린 사항을 참고하시기 바랍니다.
CCP=capcitively coupled plasma source
oscillated electrice field 에 의한 breakdown이 주요 발생원이며
전극 근방에서 oscillated sheath에서의 전자 가열이 플라즈마 밀도를
높이게 됩니다.
ICP=inductively coupled plasma source
이름 그대로 안테나 전류에서 발생되는 자기장에 의한 유도 기전력에
의한 전자의 가속으로 전자에너지가 커지고 충돌에 의해 플라즈마가
발생하게 됩니다. 따라서 안테나 근방의 전자기장이 삽입되는 영역에서
전자가열이 크고 플라즈마가 발생하여 공간내로 퍼지게 됩니다.
CCP와의 차이는 전자가 에너지를 받는 길이 CCP는 전극과 전극사이
길을 통하며, ICP는 공간내의 원형길을 따라서 생성됨으로 생성효율이
좋게 됩니다.

TCP는 ICP의 한 형태로 생각해도 무방합니다. TCP는  ICP의 일부를 변형시킨 Lam사의 장비의 고유이름입니다. 플라즈마 발생 메카니즘은
ICP와 동일합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
263 VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] 54784
262 수중플라즈마에 대해 [1] 8720
261 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] 12735
260 상압 플라즈마에 관하여 문의 드립니다. [1] 8124
259 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] 9909
258 고온 플라즈마 관련 8090
257 안녕하세요 교수님. [1] 8994
256 Lecture를 들을 수 없나요? [1] 8575
255 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 13042
254 MFP에 대해서.. [1] 7817
253 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
252 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7695
251 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10280
250 플라즈마 발생 억제 문의 [1] 8114
249 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 24295
248 Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? 15881
247 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 15790
246 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] 21983
245 cross section 질문 [1] 19667
244 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29237

Boards


XE Login