반도체 소자 제조에 있어 플라즈마의 역할은 매우 중요합니다. 특히 플라즈마와 시편 혹은 반응기 등 접촉하고 있는 물체의 경계 면에 형성되어 플라즈마 전위가 급격하게 감소하는 영역을 플라즈마 쉬스라 합니다. 플라즈마 쉬스는 플라즈마를 구성하는 전하들, 즉 이온과 전자 혹은 음이온들의 이동도가 서로 다르기 때문에 공간 전위가 생기는데, 가벼운 전자는 쉽게 플라즈마 대면 재료와 접촉하게 되고 이온은 그 뒤를 따르게 되어 (따라서 이동도는 질량에 반비례 합니다) 전위는 재료 표면으로 가면서 점차 떨어지는 것이며, 전위 분포 이후에 전자들은 쉬스 속으로 들어가기 힘들게 되고 이온은 꾸준하게 같은 속도로 빠져나갑니다. 하지만 이온 속과 전자속은 늘 일정하니, 쉬스 내에는 다수의 이온과 소수의 고속 전자들이 존재하게 되는, 비교적 빛이 나지 않는 영역이 됩니다. 이 경계에서 벗어난 지역을 플라즈마를 일반적으로 Bulk plasma라 부르고, bulk plasma의 전위는 비교적 균일하다고 가정할 수 있어 전기장이 매우 작습니다. 따라서 플라즈마는, 즉 bulk plasma 주변이 sheath 로 감싸져 있다는 생각은 옳으며, 여기서 플라즈마와의 대면재료로는 도체 (장비 벽) 뿐만아니라 유리/석영/Al2O3 등의 부도체를 포함합니다. 다른 점은 표면의 전위가 ground 되었거나 부유 된 것의 차이 뿐이고 쉬스 현상을 동일합니다.
플라즈마의 대부분의 빛은 전자 충돌에 의해서 여기된 원자 혹은 분자 및 이온들이 기저상태로 돌아오면서 방출하게 되는 원자 반응 현상으로 대략 3-4eV 정도의 에너지를 가진 빛은 가시광선으로 눈에 보이게 됩니다. 하지만 다양한 여기 에너지가 존재하고, 그 에너지는 원자 종에 따라 틀려서 분광신호로 부터 가스 종을 역으로 추적하기도 하여 OES를 이용한 EPD가 그 활용 예입니다. 상대적으로 여기 반응이 많이 일어 날 수 있는 곳은 전자가 많은 bulk 영역이 되겠으며 따라서 view port를 통해서 보이는 빛은 대부분 bulk 영역에서 발생한 빛을 보고 있는 것이라 할 수 있고, 한편 인가 전력을 바꾸면서 빛의 세기를 관찰해 보거나. bias power르 바꾸면서 빛의 세기의 변화를 관찰해 봄으로써 빛 발생의 위치를 확인해 볼 수 있을 것입니다.